|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА |  |
Номер публикации патента: 2068602 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L023/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 1524743, кл. H 01 L 23/00, 1988. 2. Заявка Японии N 59-43823, кл. H 01 L 21/82, H 01 L 27/04. 3. Заявка Японии N 56-15577, кл. H 01 L 21/82, H 01 L 21/04. 4. Патент Японии N 57-36825, кл. 99(5) E 40. 5. Заявка Франции N 2558989, кл. H 01 L 21/82, G 01 R 32/28. 6. Заявка ЕПВ N 0148683, кл. H 01 23/43, H 01 23/56. 7. Патент США N 436416, кл. H 05 K 3/00. 8. Патент Японии N 57-12298, кл. H 01 L 25/04, H 05 K 1/18. 9. Экспресс-информация. Радиоэлектроника за рубежом. - М.: НИИ экономики и информации по радиоэлектронике, вып. 26 (1102), 1987. |
| Имя заявителя: | Баринов Константин Иванович | | Изобретатели: | Баринов Константин Иванович
Васильев Геннадий Федорович
Власов Владимир Евгеньевич
Горбунов Юрий Иванович | | Патентообладатели: | Баринов Константин Иванович
Васильев Геннадий Федорович
Власов Владимир Евгеньевич
Горбунов Юрий Ивано |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике. Большая интегральная схема содержит кристаллодержатель, выполненный из пластины монокристаллического полупроводникового материала с кристаллографической ориентацией (100), на поверхности которой сформированы физические слои многоуровневой коммутационной системы с телами контактирования, образующими в определенных сочетаниях знакоместа для кристаллов, монтируемых методом перевернутого кристалла, монолитных интегральных схем и других компонентов в микроэлектронном исполнении. Кристаллы выполнены из полупроводникового монокристаллического материала с кристаллографической ориентацией (100) и имеют форму усеченных пирамид, боковые грани которых представляют собой наборы равнобочных трапеций, образованных семейством кристаллографических плоскостей {III}. На поверхности основания кристаллодержателя смонтирован кондуктор, выполненный из монокристаллического полупроводникового материала, в сквозных отверстиях которого размещены кристаллы монолитных интегральных схем и других компонентов. Сквозные отверстия кондуктора конформно воспроизводят форму и геометрические размеры кристаллов. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента