|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДИОД ГАННА |  |
Номер публикации патента: 2064718 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L047/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Кэррол Дж. СВЧ-генератор на горячих электронах.- М.: Мир, 1972, с. 105 - 189. 2. Заявка Японии № 62-50997, кл. H 01 L 37/02, 1987. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов | | Изобретатели: | Воторопин С.Д.
Юрченко В.И.
Кожемякин А.М. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов |
Реферат | |
Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: кристалл диода имеет два разделенных объема с малой и большой площадями контактов. Диод содержит n+ контактный слой, n-активный слой, и, n+ буферный слой, соединенные между собой общей подложкой. Кристалл имеет форму квадрата в плане. Контакт большей площади - это анодный контакт, он имеет форму равнобедренного прямоугольного треугольника с катетами, параллельными сторонам квадрата кристалла. Контакт меньшей площади может иметь форму квадрата со сторонами параллельными сторонам кристалла или форму равнобедренного прямоугольного треугольника с катетами параллельными сторонам кристалла. Соотношение площадей анодного контакта и площади катодного контакта не менее 10К, где К2-5. Контакты расположены по разные стороны от центра квадрата кристалла на его диагонали, симметрично относительно последней. 3 з.п.ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента