На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА

Номер публикации патента: 2062533

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5058558		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: электронная техника, в частности полупроводниковые приборы на основе переноса электронов для генерации СВЧ колебаний. Сущность изобретения: высокочастотный прибор содержит активный слой из полупроводникового материала GaAs N-типа проводимости, сформированных на нем со стороны анодного контакта слоя N⁺-типа проводимости и со стороны катодного контакта локальных областей слоя N⁺-типа проводимости. Катодный контакт содержит множество областей, инжектирующих ток в прибор и ограничивающих инжекцию тока. Области, инжектирующие ток и прибор, выполнены в форме круга, образуют плоскую решетку областей, инжектирующих ток в прибор. Любая из выбранных областей, инжектирующих ток в прибор, окружена шестью соседними областями, инжектирующими ток в прибор и находящимися на одинаковом расстоянии от выбранной области. Произведение концентрации носителей n в активной области прибора на длину l_а активной области прибора n·l_a выбираются из соотношения: 2·10¹¹ меньше /равно n·l_a меньше/равно l·10¹² [см^-2]. Кроме того, длина активной области прибора l_а относится к линейным размерам периода повторения Т решетки областей, инжектирующий ток, как l_а : Т = (2-1) : 1. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.

Вернуться к списку