|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПРИБОРА НА ЭФФЕКТЕ ГАННА С КАТОДОМ С ОГРАНИЧЕННОЙ ИНЖЕКЦИЕЙ ТОКА |  |
Номер публикации патента: 2061277 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/44 H01L047/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Вугальтер Г.А., Гуревич Г.Л. и др. Усилительные диоды Ганна. - Обзоры по электронной технике, сер.1, Электроника СВЧ, вып.11(338), с.49-52. 2. Патент Великобритании N 1539294, кл. H 01L 21/44, 1977. |
| Имя заявителя: | Каневский Василий Иванович[UA] | | Изобретатели: | Каневский Василий Иванович[UA]
Сухина Юрий Ефимович[UA]
Ильин Игорь Юрьевич[UA] | | Патентообладатели: | Каневский Василий Иванович (UA)
Сухина Юрий Ефимович (UA)
Ильин Игорь Юрьевич (U |
Реферат | |
Использование: в электронной технике, в технологии производства полупроводниковых приборов, для производства высокоэффективных приборов на эффекте Ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока. Сущность изобретения: матрицы окон формируют прямоугольной формы в защитном маскирующем слое, причем ось симметрии прямоугольного окна, параллельная большей стороне прямоугольника, совпадает с одним из кристаллографических направлений [011] подложки. Проводят нанесение на поверхность слоя N-типа проводимости с маскирующим слоем первого слоя композиции эвтектического состава толщиной  формирование методом обратной литографии матрицы микроскопических областей из композиции AuGe. Используя полученные области в качестве маскирующего покрытия, формируют углубление меза-структуры в N-слое полупроводника. Проводят нанесение второго слоя композиции эвтектического состава второй толщины, равной тощине первого слоя, нанесение последовательно слоя протекторного материала и металла катода. Затем проводят термическую обработку сформированных слоев в защитной атмосфере для одновременного формирования областей, инжектирующих и ограничивающих инжекцию тока в прибор. В качестве протекторного выбран материал из ряда металлов Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo и (или) их нитридов, боридов. Соотношение большей стороны прямоугольного окна в маскирующем защитном слое и меньшей стороны выбирается в диапазоне (3 : 1,8) : 1. В качестве материала, ограничивающего инжекцию тока в прибор, может быть выбран окисел с диэлектрической проницаемостью, близкой или большей диэлектрической проницаемости полупроводникового материала. 4 з. п. ф-лы, 16 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента