|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА |  |
Номер публикации патента: 2038655 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L039/12 | | Аналоги изобретения: | 1. J.S. Shin, H.Ozaki, "Supercouducting Bi-Sr-Ca-Su-O films prepared by the ligued phase eritaxial method" Physica C. 1991, 173, N 1- 2, p.93,98. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт материалов электронной техники | | Изобретатели: | Кривц Б.Л.
Лимитовский Е.П. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт материалов электронной техники |
Реферат | |
Использование: технология производства высокотемпературных сверхпроводящих материалов, а именно пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на основе Bi - Sr - Ca - Cu - O, которые могут быть необходимы при изготовлении приборов электронной техники. Сущность изобретения: для жидкофазного наращивания высокотемпературных сверхпроводящих структур используется подложка, плоскость ростовой поверхности которой отклонена от кристаллографической плоскости на 1 - 5°.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента