|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНФРАКРАСНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ |  |
Номер публикации патента: 2025833 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент Франции N 2251104, кл. H 01L 33/00, 1975. |
| Имя заявителя: | Институт полупроводников АН УССР (UA) | | Изобретатели: | Болгов Сергей Семенович[UA]
Яблоновский Евгений Иванович[UA]
Салюк Ольга Юрьевна[UA]
Константинов Вячеслав Михайлович[RU]
Игуменов Валерий Тимофеевич[RU]
Морозов Владимир Алексеевич[RU] | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников АН Украины (UA) |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность изобретения: устройство содержит активный узкозонный слой с биполярной проводимостью, толщиной, сравнимой с диффузионной длиной, широкозонную подложку, просветляющей и фокусирующий слои. На активном слое выполнены омические контакты. На излучающей поверхности активного слоя сформирован легированный слой с концентрацией примеси ni где n - концентрация основных носителей в активном слое; ni - собственная концентрация носителей в активном слое; ε - диэлектрическая проницаемость активного слоя; m*@e - эффективная масса носителей в активном слое; μn1μp - подвижности электронов и дырок в активном слое. Толщина легированного слоя превышает величину Дебаевской длины экранирования, а степень несоответствия параметров кристаллических решеток материалов гетероструктуры не менне 5%. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента