| 
			
					
			 На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента 
			
				Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину» 
			
			 
		   | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР |      |  
 
 Номер публикации патента: 1582926 |   |  
  
	
	 
	
| Редакция МПК:  | 6  |  | Основные коды МПК:  | H01L029/73     |  | Аналоги изобретения:  | Заявка Великобритании N 1275418, кл. H 01 L 11/14, 1972. Авторское свидетельство СССР N 1389610, кл. H 01 L 29/72, 1986.  |  
	 
	 
	
| Имя заявителя:  |   |  | Изобретатели:  | Левицкий К.Б. Верников М.А  |  
	 
	 
Реферат |   |  
 
 Изобретение относится к полупроводниковой технике. Целью изобретения является увеличение надежности биполярных транзисторов за счет снижения перегрева центральных областей транзисторной структуры, что достигается в биполярном транзисторе с полосковыми эмиттерными электродами и двухуровневой системой металлизации эмиттерные контактные окошки расположены по отношению в каждому эмиттерному электроду таким образом, что для областей транзисторной структуры, в которых локальное тепловое сопротивление является небольшим, эффективное значение уравновешивающего сопротивления в цепи эмиттера будет также максимальным. При этом роль уравновешивающих сопротивлений выполняют распределенные сопротивления дорожек эмиттерной металлизации нижнего уровня. Данная конструкция препятствует перераспределению тока не только между отдельными эмиттерными электродами, но и внутри эмиттерного электрода. 3 ил.  
		 |