|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КВАНТОВЫЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР |  |
Номер публикации патента: 1549419 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/80 | | Аналоги изобретения: | Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973, с.338-341. 2. S.Datta al al "Proposed Structure for large quantum interference effects. "Appl.Phys.Lett., 48(7), 1986, p.487-489. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Ильичев Э.А.
Полторацкий Э.А.
Савченко А. |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при обработке малых управляющих электрических сигналов в качестве усилительного или ключевого элемента. Цель изобретения - упрощение конструкции квантового интерференционного полевого транзистора. Транзистор выполнен на многослойной эпитаксиальной структуре n-GаАs-GаАlАs-nGаАs, расположенной на подложке из арсенида галлия, и содержит области истока, стока и затвора с барьером Шоттки. Барьерный слой GaAlAs представляет собой совокупность кластеров по составу, упорядоченных в регулярную структуру в направлении (110), колинеарном оси каналов транзистора, и является синхронизирующим слоем, так что образование электронной волны в каналах осуществляется посредством синхронизации электронов сверхрешеткой из вышеуказанных узкозонных кластеров GaAs. Управление фазовыми соотношениями электронных волн осуществляется подачей управляющего напряжения на электрод подложки или электрод затвора либо осуществляется изменением магнитного поля, имеющего ненулевую проекцию вектора магнитной индукции в плоскости каналов транзистора. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента