|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| P - i - n - ДИОД |  |
Номер публикации патента: 1120886 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L029/08 | | Аналоги изобретения: | Бова Н.Т. Управляющие СВЧ-устройства. Киев, 1973, с.45. |
| Имя заявителя: | Запорожский индустриальный институт | | Изобретатели: | Баранцева О.Д.
Костенко В.Л.
Костенко А. |
Реферат | |
P-i-n-ДИОД, содержащий сильнолегированные p+ и n+-области и омические контакты к ним, сформированные в приповерхностной области с одной стороны высокоомного кристалла полупроводника, отличающийся тем, что, с целью снижения величины напряжения смещения и расширения функциональных возможностей, дополнительно сформированы два изолированных полевых электрода, один из которых расположен между высоколегированными областями, а другой на противоположной стороне кристалла.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента