|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН ИОННЫМИ ПУЧКАМИ |  |
Номер публикации патента: 2164718 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 H01J037/30 | | Аналоги изобретения: | EP 0275965 A2, 27.07.1988. WO 98/29901 A1, 09.07.1998. US 5483077 A, 09.01.1996. FR 2407567, 29.06.1979. RU 2007783 C1, 15.02.1994. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" | | Изобретатели: | Смирнов В.К.
Кибалов Д.С. | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике. Технический результат - обеспечение возможности изготовления наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения. Сущность: установка содержит вакуумную камеру с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в камеру, ионный источник с управляемой энергией, масс-сепаратор, детектор электронов, держатель полупроводниковой пластины, измеритель ионного тока, квадрупольный масс-анализатор, компьютер с монитором и интерфейсом. Оси колонны транспорта ионного пучка, оптического микроскопа и электронной пушки расположены в одной плоскости с нормалью к полупроводниковой пластине, находящейся в рабочем положении, и пересекаются в одной точке, располагающейся на лицевой поверхности пластины. Оптический микроскоп и электронная пушка располагаются с лицевой стороны пластины, и угол между их осями наименьший. 2 з.п.ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента