Oberbeck L., Bergmann R.B. Electronic properties of silicon epitaxial layers deposited by ion-assisted deposition at low temperatures. - J. Appl. Phys., v.88, 5, 2000. RU 2068597 C1, 27.10.1996. RU 2022392 C1, 30.10.1994. GB 1158239 A, 16.07.1969.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Армбристер Владислав Андреевич (RU) Двуреченский Анатолий Васильевич (RU) Смагина Жанна Викторовна (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для ионизации атомарных или молекулярных потоков и формирования ионных пучков в полупроводниковой технологии в области молекулярно-лучевой эпитаксии. Способ ионизации включает многократную бомбардировку атомов или молекул ускоренными электронами. Поток ионизируемых атомов или молекул проходит внутри анода, вдоль его оси. Многократная бомбардировка электронами осуществляется в поперечном направлении за счет спирального катода, окружающего анод. Анод выполнен в виде цилиндра из металлической сетки для свободного прохождения сквозь него атомов или молекул и электронов. Электроны многократно проходят область ионизации, отражаясь от границы области, определяемой потенциальным барьером, создаваемом анод-катодной разностью потенциалов. Ускорение ионов происходит на коротком участке за счет анодного потенциала и осуществляется с помощью ускоряющей сетки, расположенной над анодом и находящейся под нулевым потенциалом. Технический результат - повышение эффективности и однородности ионизации за счет увеличения числа соударений электронов с ионизируемыми атомами или молекулами; повышение равномерности распределения плотности электронов в ионизируемом объеме; уменьшение разброса по энергиям ионов за счет создания узкой зоны для их ускорения между двумя эквипотенциальными объемами. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента