US 2269456 A, 13.01.1942. SU 814162 A1, 30.05.1984. RU 2337425 C1, 27.10.2008. US 2178653 A, 13.04.1965. JP 2006093041 A, 06.04.2006.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Изобретатели:
Мелешкевич Павел Михайлович (RU) Пугнин Виктор Иванович (RU) Стройков Евгений Алексеевич (RU) Юнаков Алексей Николаевич (RU) Панов Владимир Петрович (RU) Шишков Александр Александрович (RU) Юркин Василий Иванович (RU) Рыбачек Валерий Павлович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") (RU)
Реферат
Изобретение относится к электронной технике, а именно к вакуумным СВЧ генераторам на основе СВЧ приборов пролетного типа с большими углами пролета, например к монотронам. Техническим результатом является повышение КПД генерации, который достигается за счет того, что в способе генерации СВЧ колебаний сформированный электронный поток вводят в пространство взаимодействия объемного резонатора, модулируют его по скорости и плотности, осуществляют преобразование энергии электронного потока в энергию СВЧ колебаний объемного резонатора, при этом величину угла пролета электронов в пространстве взаимодействия объемного резонатора и величину тока электронного потока выбирают из заданных условий. В первом варианте устройства многолучевой монотрон содержит объемный резонатор, в торцевых стенках которого установлены две пролетные трубы, при этом вторая пролетная труба выступает в полость резонатора. Расстояние от торца второй пролетной трубы до торцевой стенки объемного резонатора и диаметр пролетных труб выбирают из заданных условий. Во втором варианте устройства обе пролетные трубы выступают в полость резонатора и между ними установлена диафрагма с центральным отверстием для электронного потока. Расстояния от торцов пролетных труб до торцевых стенок резонатора и до диафрагмы, диаметры пролетных труб и центрального отверстия диафрагмы выбирают из заданных условий. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента