Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛЕВОЙ ЭМИТТЕР ЭЛЕКТРОНОВ

Номер публикации патента: 2149477

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98116457 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01J001/02   H01J001/14   H01J001/30   H01J009/02    
Аналоги изобретения: US 5602439 A, 11.02.1997. RU 2094891 C1, 27.10.1997. RU 2083018 C1, 27.10.1997. US 5258685 A, 02.11.1993. US 5129850 A, 14.07.1992. EP 055076 A1, 03.02.1993. 

Имя заявителя: Акционерное общество закрытого типа "Карбид" 
Изобретатели: Гордеев С.К.
Косарев А.И.
Андронов А.Н.
Виноградов А.Я. 
Патентообладатели: Акционерное общество закрытого типа "Карбид" 

Реферат


Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - устройствам для полевой эмиссии электронов. Технический результат заключается в создании полевого эмиттера электронов, обеспечивающих низкий порог электронной эмиссии, в сочетании с упрощением технологии его изготовления и расширении диапазона применения за счет возможности получения больших и однородных электронов. Полевой эмиттер электронов включает два расположенных один на другом слоя углеродных материалов, нижний из которых выполнен из пористого углеродного материала, имеющего каркасное строение, с открытой пористостью 35-70 об. %. Для изготовления нижнего слоя эмиттера возможно использование пористого углеродного материала, включающего алмазные частицы с размером менее 10 нм, связанные пироуглеродной матрицей или пористого углеродного материала, содержащего нанопоры размером 0,8-2,0 нм, объемное содержание которых составляет 20-50 об.%. Верхний слой эмиттера получен плазмохимическим осаждением в условиях емкостного разряда из смеси углеводородов с водородом при частоте 12-100 МГц и температуре 200-400°С. 6 з.п.ф-лы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"