|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ АЛМАЗА С НИЗКИМ ПОРОГОМ ПОЛЕВОЙ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2137242 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J001/02 H01J001/14 H01J001/30 | | Аналоги изобретения: | RU 2094891 C1, 27.10.97. EP 0555076 A1, 03.02.93. Алехин А.П. и др. О структуре и свойствах углеводсодержащих пленок, формируемых магнитоактивным СВЧ плазменно-индуцированным осаждением. -Журнал "Поверхность" 1996, №10, с.47-52. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | | Изобретатели: | Гордеев С.К.
Ральченко В.Г.
Жуков С.Г.
Карабутов А.В.
Белобров П.И. | | Патентообладатели: | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" |
Реферат | |
Изобретение относится к области материалов электронной техники, а более конкретно - к электродным материалам для полевой эмиссии. Материал выполнен из частиц алмаза, связанных между собой графитоподобной углеродной матрицей, при этом размер частиц алмаза не превышает 50 мкм. Содержание в материале углеродной матрицы не должно быть более 3 мас.%. Могут быть использованы порошки алмаза с частицами (так называемый ультрадисперсный алмаз или наноалмаз) менее 20 нм, а также смеси указанного порошка и алмазных микропорошков размеров частиц от 0,1 до 60 мкм. Технический результат заключается в получении материала, который в сочетании с низким порогом эмиссии обладает стабильностью и воспроизводимостью эмиссионных свойств, однородностью эмиссионных свойств по поверхности материала, достаточно высоким уровнем электропроводности, необходимым для применения материала в качестве эмиттеров, что обеспечивает возможность получения планарных эмиттеров большой площади. 3 з. п.ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента