|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЛАЗМЕННЫЙ ЭМИТТЕР ИОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2110867 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01J027/04 | | Аналоги изобретения: | 1. Ивановский Г.Ф. и др. Ионно-плазменная обработка материалов. - М.: Радио и связь, 1986, с. 207. 2. RU, патент, 2008739, кл. H 01 J 27/04, 1993. |
| Имя заявителя: | Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере | | Изобретатели: | Метель А.С.
Григорьев С.Н.
Цыновников Е.Р.
Мельник Ю.А.
Федоров С.В. | | Патентообладатели: | Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере
Московский государственный технологический университет "Станкин |
Реферат | |
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, к источникам пучков большого поперечного сечения ионов и/или быстрых нейтральных молекул инертных и химически активных газов, а именно к плазменным эмиттерам ионов с большой эмиссионной поверхностью. Плазменный эмиттер ионов содержит эмиссионную сетку открытый в направлении сетки полый катод, анод и источник питания разряда. Отрицательный полюс источника питания разряда соединен с полым катодом, а положительный полюс соединен с анодом. На боковой поверхности полого катода в зоне эмиссионной сетки имеются по меньшей мере два симметрично расположенных отверстия. Анод выполнен в виде системы изолированных друг от друга и расположенных снаружи полого катода в зоне отверстий анодных электродов. Число анодных электродов равно числу отверстий, при этом площадь SN сечения каждого отверстия удовлетворяет условию SN<(2m/M)1/2S/N, где S - суммарная площадь внутренней поверхности полого катода и эмиссионной сетки, а m и M - соответственно масса электрона и иона рабочего газа. Положительный полюс источника питания разряда может быть соединен с анодными электродами через отдельные резисторы. 1 з.п.ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента