|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ |  |
Номер публикации патента: 2137235 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01B012/00 | | Аналоги изобретения: | Методика изготовления сверхпроводников на основе окиси меди. Приборы для научных исследований, 1989, № 9, с. 3-10. US 5416072 A, 16.05.95. RU 2009558 C1, 15.03.94. |
| Имя заявителя: | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева | | Изобретатели: | Зорина Т.М.
Нищев К.Н.
Кяшкин В.М.
Логинов В.С.
Томилин О.Б. | | Патентообладатели: | Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева |
Реферат | |
Изобретение относится к области материаловедения, в частности к процессам синтеза высокотемпературных оксидных сверхпроводников, и может быть использовано для изготовления элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является получение высокотемпературного сверхпроводящего материала с близким к нулю температурным коэффициентом электросопротивления в интервале от 273 до 100K, что позволяет использовать такой материал для изготовления прецизионных низкотемпературных резисторов. Согласно изобретению высокотемпературный сверхпроводящий материал содержит иттрий, барий, медь и кислород, компоненты взяты при следующем соотношении, вес.%: иттрий - 14,13-15,05, барий - 41,30-40,75 медь -28,66-28,28, кислород - остальное. 5 ил., 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента