|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОГО СТАБИЛИЗИРОВАННОГО СВЕРХПРОВОДНИКА НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЯ А - 15 |  |
Номер публикации патента: 2061974 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01B012/00 | | Аналоги изобретения: | 1.JEEE Trans. Magn., Mag-25, N 2, 1989, p.p. 2068-2075. 2. Патент США N 4055587, кл. H O1 B 12/00, 1977. |
| Имя заявителя: | Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.Бочвара А.А. | | Изобретатели: | Никулин А.Д.
Шиков А.К.
Силаев А.Г.
Воробьева А.Е.
Давыдов И.И.
Чукин А.М.
Клименко Е.Ю.
Круглов В.С. | | Патентообладатели: | Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.Бочвара А.А. |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области электротехники и может быть применено в устройствах, предназначенных для работы на переменном токе и в быстроменяющихся магнитных полях. Сущность изобретения: способ позволяет улучшить стабилизацию внутренних зон проводника, обеспечить целостность диффузионных барьеров, в том числе в проводниках диаметром менее 0,5 мм. При этом улучшается деформируемость композита на заключительной стадии его изготовления, увеличивается выход годного и, следовательно, повышается надежность и экономичность производства сверхпроводников малых (менее 0,5 мм) диаметров с тонкими и ультратонкими волокнами. Улучшение стабилизации сверхпроводника достигается за счет равномерного размещения стабилизирующего материала по сечению заготовки или за счет размещения его в нескольких плоскостях, направленных радиально от центра к периферии композитной заготовки. Целостность диффузионных барьеров обеспечивается предварительным, перед размещением их в композитной заготовке, рекристаллизационным отжигом, что позволяет снизить твердость материала барьера примерно на 20 - 40%. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента