SU 1705875 A1, 15.01.1992. SU 1292040 A1, 23.02.1987. EP 1343174 A2, 10.09.2003. EP 0585435 B1, 06.12.2000.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:
Панявин Владимир Викторович (RU) Подвальный Семен Леонидович (RU) Тюрин Сергей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении одинаковой и прогнозируемой эффективности обнаружения константных неисправностей и неисправностей, обусловленных информационным взаимовлиянием элементов памяти, в ОЗУ с произвольной организацией. Способ тестирования ОЗУ путем использования Р-разрядного генератора псевдослучайных чисел на основе циклического регистра сдвига с линейной обратной связью и периодом повторения М, структуру которого предварительно определяют на основе системы неравенств, заключающийся в том, что проводят подряд не менее К циклов тестирования, в каждом из которых выполняют, последовательно чередуя, процедуру записи тестовых L-разрядных псевдослучайных чисел во все N ячейки ОЗУ, а затем процедуру чтения из каждой ячейки ОЗУ записанных в них данных и сравнения их с тестовыми псевдослучайными числами, причем для формирования тестовых псевдослучайных чисел сначала в генератор псевдослучайных чисел записывают новое начальное двоичное Р-разрядное число, отличное от нуля, L-разрядов которого позже используют как первое тестовое число, затем последовательно осуществляют (N-1) циклических сдвигов в регистре сдвига с линейной обратной связью и таким образом формируют все N L-разрядные тестовые числа, причем дополнительно вводят операцию селекции, где из подряд формируемых псевдослучайных чисел в качестве тестовых выбирают только те, которые отстоят друг от друга точно на L псевдослучайных чисел. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента