US 5424997 А, 13.06.1995. US 2002/0145913 A1, 10.10.2002. US 4695981 A, 22.09.1987. US 2002/0060938 A1, 23.05.2002. US 5222047 A, 22.06.1993. RU 2239889 C1, 10.11.2004.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
РАО Хари (US) ПАРК Донгкиу (US) АБУ-РАХМА Мохамед Хассан (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
24.04.2008 US 12/108,608
Реферат
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к электронной памяти. Техническим результатом является снижение мощности в электронном запоминающем устройстве. Запоминающее устройство содержит последовательно сегментированную разрядную линию для доступа к данным в упомянутом запоминающем устройстве, повторитель с защелкой, управляющий сегментами разрядной линии, причем повторитель с защелкой управляется разрядами адреса памяти и определителями, выбранными из списка сигналов разрешения чтения и сигналов разрешения записи. Способ описывает работу данного запоминающего устройства. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента