US 2004/0012995 A1, 22.01.2004. RU 2193822 C2, 27.11.2002. SU 1108915 A1, 27.05.1997. SU 1053638 A1, 30.12.1994.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЙООН Сей Сеунг (US) ЧЖУН Чэн (US) ПАРК Донгкиу (US) АБУ-РАХМА Мохамед Х. (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
11.01.2008 US 11/972,696
Реферат
Данная группа изобретений относится к средствам считывания данных из матрицы памяти. Технический результат заключается в снижении тока утечки в магнитном оперативном запоминающем устройстве. Он достигается тем, что прикладывают сигнал считывания к битовой шине, соединенной с матрицей памяти, включающей в себя множество ячеек памяти, причем каждая из множества ячеек памяти содержит устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ); прикладывают положительное напряжение к выбранной шине слов, соединенной с выбранной ячейкой памяти матрицы памяти; и прикладывают отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов, соединенным с матрицей памяти, и прикладывают отрицательное напряжение к каждой шине слов во время состояния ожидания. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента