Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОСТОЯННОГО ПОЭЛЕМЕНТНОГО ДУБЛИРОВАНИЯ В ДИСКРЕТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ (ВАРИАНТЫ)

Номер публикации патента: 2475820

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011133506/08 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G06F011/18   H03K019/007    
Аналоги изобретения: ФЕДУХИН А.В. К вопросу об аппаратной реализации избыточных структур. Поэлементное резервирование. В: «Математичнi машини i системи», 2009, 4, с.193-198. RU 2347264 C2, 20.02.2009. US 20100207681 A1, 19.08.2010. ЕР 1016968 А2, 05.07.2000. 

Имя заявителя: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU) 
Изобретатели: Александров Петр Анатольевич (RU)
Жук Виктор Ильич (RU)
Литвинов Валерий Лазаревич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU) 

Реферат


Изобретения относятся к области вычислительной техники и электроники и более точно к способам поэлементного дублирования в дискретных электронных системах, в том числе в наноэлектронных системах, подвергающихся воздействию радиации и в первую очередь потока высокоэнергетических частиц. Техническим результатом является повышение отказоустойчивости систем большой интеграции при работе в условиях радиации. В одном из вариантов способ содержит этапы, на которых для каждого элемента устанавливают идентичный ему дублирующий элемент и объединяют одноименные входы дублирующих друг друга элементов, при этом в качестве дублирующих элементов используют логические элементы, не имеющие памяти, располагают дублирующие друг друга логические элементы на расстоянии между ними, превышающем размер области повреждения микросхемы от одной частицы излучения, попадающей в нее, и объединяют одноименные выходы дублирующих друг друга логических элементов, образуя пары дублирующих друг друга элементов, каждая из которых представляет дублированный логический элемент. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"