Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКОГО ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА

Номер публикации патента: 2379731

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008101284/04 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G03F007/022   G03F007/075    
Аналоги изобретения: SU 1825425 A3, 30.06.1993. JP 2007286574 А, 01.11.2007. RU 2012918 С1, 15.05.1994. US 2006166131, 27.07.2006. JP 1291242 A, 22.11.1989. SU 1364051 A1, 20.07.1996. SU 781745 A1, 23.11.1980. SU 744426 A1, 30.06.1980. 

Имя заявителя: Институт Высокомолекулярных соединений Российской Академии наук (RU),
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет) (СПб ГТИ (ТУ) (RU) 
Изобретатели: Рудая Людмила Ивановна (RU)
Шаманин Валерий Владимирович (RU)
Лебедева Галина Константиновна (RU)
Климова Наталья Владимировна (RU)
Большаков Максим Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Институт Высокомолекулярных соединений Российской Академии наук (RU)
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет) (СПб ГТИ (ТУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах. Сущность способа получения позитивного термостойкого фоторезиста заключается в поликонденсации дихлорида изофталевой кислоты со смесью 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и бис-(3-аминопропил)диметилсилоксана в амидном растворителе при соотношении аминных компонентов от 9:1 до 1:9 мол.%. Раствор светочувствительного компонента ,-бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропана в амидном растворителе добавляют непосредственно в реакционную массу после завершения реакции поликонденсации. При этом для получения фоторезиста выбирают следующие соотношения компонентов, мас.%: реакционный раствор поли(о-гидроксиамида) - 80-90; ,-бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропан - 1,5-6,5; амидный растворитель - остальное. Полученный термостойкий позитивный фоторезист надежно обеспечивает формирование высокоразрешенного, адгезионнопрочного, химически стойкого позитивного микрорельефа на смешанных, в том числе кремнийсодержащих, субстратах. 2 з.п. ф-лы.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"