Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ ФОТОРЕЗИСТА

Номер публикации патента: 2148854

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98115796 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G03F007/26   H01L021/66    
Аналоги изобретения: Валиев К.А. и др. Фотолитографический процесс с использованием газофазной химической модификации фоторезистов. Труды ФТИАН, 1992, с.4. EP 0451329 A2, 16.10.1991. US 5409538 A, 25.04.1995. EP 0502533 A2, 09.09.1992. Введение в фотолитографию/ Под ред.В.П.Лаврищева, - М.: Энергия, 1977, с.400. 

Имя заявителя: Воронежский государственный университет 
Изобретатели: Урывский Ю.И.
Чуриков А.А. 
Патентообладатели: Воронежский государственный университет 

Реферат


Использование: контрольно-измерительная техника технологических процессов производства изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста осуществляется путем измерения параметров поляризованного монохроматического света при отражении его от полупроводниковой пластины с пленкой фоторезиста, по которым в процессе экспонирования определяют изменения эффективного значения показателя преломления экспонируемой пленки, а затем соответственно этим изменениям находят изменения глубины экспонированного слоя пленки фоторезиста из выражения

где d - толщина исходной пленки фоторезиста; dэ - глубина экспонированного слоя пленки фоторезиста; nпл - показатель преломления исходной фоторезистной пленки; nэ - показатель преломления полностью проэкспонированной фоторезистной пленки; nэф - меняющееся в процессе экспонирования эффективное значение показателя преломления фоторезистной пленки, и при достижении заданной величины dэ прекращают процесс экспонирования. Рабочую длину волны поляризованного света выбирают равной λ = 546,1 нм. Техническим результатом изобретения является создание неразрушающего способа точного определения глубины экспонирования пленки фоторезиста. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"