На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ | |
Номер публикации патента: 2079865 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G03F007/16 | Аналоги изобретения: | 1. Мокеев О.К. и др. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1979, с. 223. 2. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Энергия, 1978, с. 49 - 50. |
Имя заявителя: | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Изобретатели: | Корж И.А. | Патентообладатели: | Омский научно-исследовательский институт приборостроения |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.п. Сущность изобретения: на подложку наносят диэлектрическую пленку, и формируют конфигурацию защитной маски, после чего проводят травление подложки. В качестве материала маски используется диэлектрическая пленка моноалюмината неодима толщиной не менее 1 мкм.
|