|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СВЕТОВОЗВРАЩАЮЩИЙ МАТЕРИАЛ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2065190 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G02B005/128 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент США N 4102562, кл. G 02B 5/128, 1978. 2. Патент США N 4235512, кл. G 02B 5/128, 1980. |
| Имя заявителя: | Обособленное научно-исследовательское подразделение по солнечной и точной оптике при Научно-производственном объединении "Астрофизика" | | Изобретатели: | Абрамов В.В.
Алексеев В.А.
Белкин Н.Д.
Молохина Л.А.
Нарусбек Э.А.
Филин С.А.
Хазанова А.Ф. | | Патентообладатели: | Обособленное научно-исследовательское подразделение по солнечной и точной оптике при Научно-производственном объединении "Астрофизика" |
Реферат | |
Использование: в технических средствах регулирования дорожного движения для изготовления дорожных знаков, указателей, экранов, номерных знаков машин и т. д. и специальных элементов для обнаружения предметов в темноте, кредитных карточек и т.п. Сущность изобретения: ячеистая структура выполнена из сетчатого полотна, укрепленного на отражающей поверхности, при этом микрошарики расположены на отражающем слое в ячейках сетчатого полотна, покрыты защитной пленкой и удерживаются на определенном расстоянии друг относительно друга электростатически. Отражающий слой может быть выполнен в виде частиц с отражающей поверхностью, размещенных в связующем, при следующем соотношении компонентов, мас. проц.: связующее 49,9-97,3, частицы с отражающей поверхностью 2,7-50,1, при этом микрошарики частично погружены в отражающий слой и покрыты защитной пленкой. При получении световозвращающего материала нанесение слоя микрошариков осуществляют на отражающий слой с поверхности псевдоожиженного слоя, образованного микрошариками заданного размера, обеспечиваемого посредством прикладывания к ним соответствующей вынуждающей силы, например микрошариками с максимальной амплитудой колебания, обеспечиваемой посредством прикладывания к ним вынужденных колебаний с резонансной частотой, соответствующей собственной частоте колебаний микрошариков заданных размеров. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента