Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ЭКРАНОВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАЦИИ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2243573

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2003123219/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01T001/20    
Аналоги изобретения: Черепанов А.Н. и др. Эволюция агрегатных центров свечения кристаллов (Li, Na)F под действием радиации. Межвузовский сборник научных трудов "Проблемы спектроскопии и спектрометрии". - Екатеринбург: УГТУ-УПИ, вып.12, 2003, с.27-38. RU 2181491 С2, 20.04.2002. ЕР 1348982 А2, 01.10.2003. US 5138166 А, 11.08.1992. GB 2365522 А, 20.02.2002. 

Имя заявителя: ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет-УПИ (RU) 
Изобретатели: Шульгин Б.В. (RU)
Черепанов А.Н. (RU)
Иванов В.Ю. (RU)
Нешов Ф.Г. (RU)
Ушаков Ю.А. (RU)
Королева Т.С. (RU)
Кидибаев М.М. (RU) 
Патентообладатели: ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет-УПИ (RU) 

Реферат


Использование: в томографии, системах неразрушающего контроля, для телемеханического мониторинга промышленных технологий. Сущность: способ заключается в облучении кристаллов Lif или NaF через плотно прилегающую к ним радиационно-стойкую маску в виде металлической сетки с размером ячеек от 6-10 мкм и выше циклотронным пучком ионов He+ с энергией 3±2 МэВ, при токе пучка от 100 до 300 нА и флюенсе пучка от 1·1018 до 2·1019 м-2.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"