Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)
Изобретатели:
Варлачев Валерий Александрович (RU) Емец Евгений Геннадьевич (RU) Солодовников Евгений Семенович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Сущность изобретения заключается в том, что включает измерение удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния до и после облучения, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, отжиг радиационных дефектов в кремнии после каждого облучения, при этом облучение кремния проводят в кадмиевом экране толщиной 0,5-1,5 мм и без кадмиевого экрана, вычисляют кадмиевое отношение по изменениям удельных электрических проводимостей RCd=(-0)/(Cd-0,Cd), где 0,Cd, 0 - удельные электрические проводимости перед облучением в кадмиевом экране и без него, Cd, - соответствующие удельные электрические проводимости кремния в кадмиевом экране и без него после облучения и отжига, и определяют абсолютный эффективный флюенс тепловых нейтронов где е, µn - заряд и подвижность электронов в монокристаллах кремния, t - коэффициент самоэкранировки тепловых нейтронов в шайбе кремния, t - макроскопическое сечение реакции радиационного захвата тепловых нейтронов кремнием-30, FCd - поправочный коэффициент, учитывающий поглощение надтепловых нейтронов в кадмии. Технический результат - измерение абсолютных значений флюенса тепловых нейтронов без дополнительной калибровки, независимость результатов измерений от спектра нейтронов. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента