Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ

Номер публикации патента: 2368913

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008114995/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01R031/26    
Аналоги изобретения: RU 2204142 С2, 10.05.2003. RU 2269790 С1, 10.02.2006. RU 2339964 С2, 27.11.2008. RU 2004129508 А, 20.03.2006. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU) 
Изобретатели: Горлов Митрофан Иванович (RU)
Козьяков Николай Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения транзисторов повышенной надежности из партии в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в измерении значений информативного параметра - обратного тока эмиттера - до, после отжига, после воздействия импульсами электростатического разряда и после второго отжига. При этом на выводы испытуемых транзисторов подают несколько импульсов электростатического разряда обеих полярностей потенциалом, допустимым по техническим условиям. Отжиг проводят при максимально допустимой температуре кристалла. Транзисторы выделяют на основании оценки стабильности значения информативного параметра. Технический результат: более короткий отжиг, отсутствие превышения напряжения электростатического разряда. 1 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"