|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2079853 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | W Kohn Jol.Stale Phys, v. 5, р. 257, 1957. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973, гл. 3. D.U.Land sappl Phys, 45, N 7, р. 3014, 1977. Фэи Н.И. Поглощение ИК-излучения в полупроводниках. Успехи физических наук, 1958, т. 6, с. 316. |
| Имя заявителя: | Ильичев Эдуард Анатольевич | | Изобретатели: | Ильичев Э.А.
Лукьянченко А.И. | | Патентообладатели: | Ильичев Эдуард Анатольевич
Лукьянченко Елена Степановн |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: предложен способ определения электрофизических параметров полупроводниковых и полуизолирующих материалов, основанный на локальных неразрушающих измерениях релаксационных процессов электронно-дырочной и ловушечной систем в образце в условиях периодического возбуждения их светом и квазиравновесного нагревания образца. Способ позволяет измерять время релаксации ловушек, их энергии и концентрации, а также распределения в плоскости пластины и по глубине. В легированных образцах определяется концентрация равновесных носителей и их распределение по глубине и в плоскости пластины. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента