SU 1398573 A1, 10.04.1996. SU 1820416 A1, 07.08.1993. SU 1827531 A1, 15.07.1993. SU 1060933 A, 15.12.1993. RU 2244971 C1, 20.01.2005. JP 2003114153 A, 18.04.2003. JP 6137805 A, 20.05.2004.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:
Борыняк Леонид Александрович (RU) Непочатов Юрий Кондратьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в экспериментальной механике для точного измерения веса, вибраций, сил. Технический результат: упрощение процесса изготовления, уменьшение трудоемкости технологических операций. Сущность: металлическую поверхность, например алюминиевую, окисляют методом глубокого пористого анодирования до формирования пленки окисла толщиной, обеспечивающей надежную электрическую изоляцию тензорезистора от поверхности металла. Упрочняют пленку окисла обжигом в азотной атмосфере. Наносят в вакууме слой SiO2 или Ta2O5, полируют его до 14 класса чистоты. Наносят на него слой нихрома с необходимым удельным сопротивлением посредством термического испарения нихрома из тигля в вакууме. Изготавливают по тонкопленочной фотолитографии рисунок тензорезистора. Затем напыляют в вакууме слои алюминия и меди, методом фотолитографии формируют контактные площадки и приваривают к ним токопроводящие проводники. Готовый тензорезистор изолируют сверху слоем SiO2. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента