|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ДИОКСИДА ТИТАНА ИЗ РАСПЛАВА В ТИГЛЕ |  |
Номер публикации патента: 2079581 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/20 C30B029/16 | | Аналоги изобретения: | Ткаченко В.Д. и др. Исследование монокристаллов диоксида титана, полученных кристаллизацией расплава в холодном тигле. - Известия АН СССР, сер. "Неорганические материалы", 1987, т. 23, N 4, с. 587 - 589. |
| Имя заявителя: | Титибу Онода Семент Корпорейшн (JP) | | Изобретатели: | Хироси Матида[JP] | | Патентообладатели: | Титибу Онода Семент Корпорейшн (JP) | | Номер конвенционной заявки: | 3-131870 | | Страна приоритета: | JP |
Реферат | |
Изобретение относится к способу выращивания кристаллов из расплава методом Чохральского с получением монокристаллов. В поверхности расплава предусмотрен регулятор с целью регулирования потока расплава по его поверхности, который включает цилиндрическую стенку, которая выполнена со средствами для открывания в виде щелей. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента