|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ |  |
Номер публикации патента: 2023770 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B025/00 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | 1. Г.Антелл. Исследование метода выращивания кристаллов G aP и G aAS из паровой фазы. Новые полупроводниковые материалы. М.:Металлургиздат, 1964, с.244. (56) |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Научный центр" | | Изобретатели: | Марков Е.В.
Чегнов В.П.
Переплетчиков В.С.
Куликов А.П.
Корнев С.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Научный центр" |
Реферат | |
Использование: в технологии получения соединений A3B5 осаждением из газовой фазы. Сущность изобретения: при выращивании кристаллов в ампулу дополнительно вводят транспортный агент и процесс ведут при температуре источника на 100 - 600°С ниже температуры плавления соединения, температуре затравки на 5 - 100°С ниже температуры источника и давлении легколетучего компонента в диапазоне от равновесного значения при температуре затравки до 1 атм.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента