|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ НА ЗАТРАВКУ, РАЗМЕЩАЕМУЮ В ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЕ |  |
Номер публикации патента: 2332529 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/02 C30B029/22 | | Аналоги изобретения: | SU 1605584 А2, 27.04.1996. SU 1503346 С, 30.11.1994. RU 2291919 С1, 20.01.2007. |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU) | | Изобретатели: | Портнов Олег Григорьевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов. Выращивание монокристаллов осуществляют из раствора на прямоугольную затравку, изготовленную из Z-среза монокристалла, размер которой в направлении [] значительно меньше, чем в направлении [], размещают ее внутри разъемного формообразователя в виде замкнутой рамки, собранного из отдельных план
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента