Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » C » C30 » C30B
Поиск в МПК:   
Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D,C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей [3]
Всего позиций: 958        «пред [301-350] [351-400] [401-450] [451-500] [501-550] [551-600] след»
Публикация Название
2439215РЕЗЕРВУАР ИСТОЧНИКА ДЛЯ VPE - РЕАКТОРА
2323280РОТОРНЫЙ ОСЕВОЙ НАСОС ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО В КРИСТАЛЛИЗАЦИОННЫХ УСТАНОВКАХ
2448204САПФИР С r - ПЛОСКОСТЬЮ, СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2414550САПФИРОВАЯ ПОДЛОЖКА (ВАРИАНТЫ)
2389833СВЕРХПРОЧНЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ CVD - АЛМАЗА И ИХ ТРЕХМЕРНЫЙ РОСТ
2323281СВЕРХТВЕРДЫЕ АЛМАЗЫ И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ
2324018СЕРИЙНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛЛИЙ - СКАНДИЙ - ГАДОЛИНИЕВЫХ ГРАНАТОВ ДЛЯ ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ
2451118СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ КОЛПАКА РЕАКТОРА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
2438983СЛОЖНЫЙ ТАНТАЛАТ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
94039535СЛОИСТЫЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
2415204СЛОЙ БЕСЦВЕТНОГО АЛМАЗА
2291134СПИНТРОННЫЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ
2255130СПЛАВ ДЛЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТРАВОК
2038430СПОСОБ БЕЗТИГЕЛЬНОГО ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa
2147049СПОСОБ ВВЕДЕНИЯ ЛИГАТУРЫ В РАСПЛАВ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ БЕРИЛЛА
2409708СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ДЕТАЛИ ИЛИ ДЕТАЛИ, ПОЛУЧЕННОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ
2382122СПОСОБ ВСТРАИВАНИЯ МЕТКИ В АЛМАЗ, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ
2193611СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ ЧАСТИ СЛИТКА ВЫРАЩЕННОГО МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ С ЗАДАННОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ПРИМЕСИ УГЛЕРОДА
2330126СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ Cd
95109547СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗА ИЗ ГРАФИТА
2083272СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗА ИЗ ГРАФИТА
2006538СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗОВ
2389831СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ БИКРИСТАЛЛОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
2124077СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЗВЕЗДЧАТЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ ПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ
2430200СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ИГОЛЬЧАТЫХ КРИСТАЛЛОВ
Всего позиций: 958        «пред [301-350] [351-400] [401-450] [451-500] [501-550] [551-600] след»
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"