На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ АСИММЕТРИЧНО ЗОНАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА | |
Номер публикации патента: 2162734 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | B01J003/06 C30B029/04 | Аналоги изобретения: | ПАЛЬЯНОВ Ю.Н. и др. Выращивание крупных кристаллов алмаза на беспрессовых аппаратах типа "разрезная сфера". - Доклады АН СССР, 1990, т.315, N 5, с.1221-1224. RU 2071823 C1, 20.01.1997. RU 2050180 C1, 20.12.1995. US 3492695 A1, 03.02.1970. |
Имя заявителя: | Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН | Изобретатели: | Чепуров А.И. Федоров И.И. Сонин В.М. Багрянцев Д.Г. Чепуров А.А. Жимулев Е.И. Григораш Ю.М. | Патентообладатели: | Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН ООО "МАИН" |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС". Технический результат: получение асимметрично зональных кристаллов алмаза общим количеством 20 - 30 шт., где наиболее дефектная часть кристалла локализована с одного края кристалла в зоне затравки. Такие алмазы предназначены для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента. Реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки и внутреннюю изолирующую втулку, в полости которой размещены шихта и подложка, выполненная с соосным выступом высотой 0,2-0,3 мм и диаметром, составляющим 0,3-0,5 диаметра подложки. По периметру подложки впрессованы затравочные кристаллы, расположенные в виде двух колец на расстоянии, не превышающем размеры выращиваемых кристаллов, причем внутреннее кольцо затравочных кристаллов впрессовано на выступе подложки на расстоянии 0,6-0,8 мм от внешнего края выступа, а внешнее - на расстоянии 0,8-1,0 мм от внешнего края подложки, и сориентированные так, чтобы одно из ребер октаэдра затравочных кристаллов было параллельно касательной к окружности края подложки, а затравочные поверхности соответствовали плоскости октаэдра {111} с отклонением от плоскостности не более чем на 3°. Кроме того, состав материала подложки определен следующим соотношением компонентов, вес.%: ZrO2 70 - 80; Mg0 5 - 10; CsCl l5 - 20. 2 ил.
|