Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ АСИММЕТРИЧНО ЗОНАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА

Номер публикации патента: 2162734

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 99104309/12 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: B01J003/06   C30B029/04    
Аналоги изобретения: ПАЛЬЯНОВ Ю.Н. и др. Выращивание крупных кристаллов алмаза на беспрессовых аппаратах типа "разрезная сфера". - Доклады АН СССР, 1990, т.315, N 5, с.1221-1224. RU 2071823 C1, 20.01.1997. RU 2050180 C1, 20.12.1995. US 3492695 A1, 03.02.1970. 

Имя заявителя: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН 
Изобретатели: Чепуров А.И.
Федоров И.И.
Сонин В.М.
Багрянцев Д.Г.
Чепуров А.А.
Жимулев Е.И.
Григораш Ю.М. 
Патентообладатели: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН
ООО "МАИН" 

Реферат


Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС". Технический результат: получение асимметрично зональных кристаллов алмаза общим количеством 20 - 30 шт., где наиболее дефектная часть кристалла локализована с одного края кристалла в зоне затравки. Такие алмазы предназначены для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента. Реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки и внутреннюю изолирующую втулку, в полости которой размещены шихта и подложка, выполненная с соосным выступом высотой 0,2-0,3 мм и диаметром, составляющим 0,3-0,5 диаметра подложки. По периметру подложки впрессованы затравочные кристаллы, расположенные в виде двух колец на расстоянии, не превышающем размеры выращиваемых кристаллов, причем внутреннее кольцо затравочных кристаллов впрессовано на выступе подложки на расстоянии 0,6-0,8 мм от внешнего края выступа, а внешнее - на расстоянии 0,8-1,0 мм от внешнего края подложки, и сориентированные так, чтобы одно из ребер октаэдра затравочных кристаллов было параллельно касательной к окружности края подложки, а затравочные поверхности соответствовали плоскости октаэдра {111} с отклонением от плоскостности не более чем на 3°. Кроме того, состав материала подложки определен следующим соотношением компонентов, вес.%: ZrO2 70 - 80; Mg0 5 - 10; CsCl l5 - 20. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"