RU 2087861 С1, 20.08.1997. RU 2274676 С2, 20.04.2006. RU 2025657 С1, 30.12.1994. SU 1735712 А1, 23.05.1992. CN 101775582 А, 17.07.2010. US 5221636 A, 22.06.1993.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО ТГТУ (RU)
Изобретатели:
Образцов Денис Владимирович (RU) Гумбин Вячеслав Валерьевич (RU) Шелохвостов Виктор Прокопьевич (RU) Чернышов Владимир Николаевич (RU) Макарчук Максим Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ГОУ ВПО ТГТУ (RU)
Реферат
Изобретение относится к области производства наноструктурных пленок с активным контролем и оптимизацией процесса их синтеза. Способ синтеза включает размещение в вакуумной камере изделия и контрольных образцов, нагрев и контроль их температуры и осаждение из испарителя металлического материала на изделии и контрольных образцах. При этом в процессе осаждения материала из вакуумной камеры поочередно извлекают контрольные образцы с помощью шлюзового устройства и посредством просвечивающего электронного микроскопа определяют фазовый состав, структуру и толщину осажденной на каждом образце пленки. После чего при необходимости изменяют по меньше мере один из следующих технологических параметров: температуру нагрева поверхности изделия и контрольных образцов, давление атмосферы в рабочем объеме вакуумной камеры, состав атмосферы, величину тока, проходящего через испаритель, расстояние между испарителем и поверхностью изделия, состав испаряемого материала. В случае образования на поверхности очередного контрольного образца пленки заданной структуры, фазового состава и толщины, процесс осаждения материала прекращают. Технический результат - получение наноструктурной пленки с заданными параметрами. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента