US 2002036143 A, 28.03.2002. WO 02083981 A, 24.10.2002. SU 392845 A1, 23.01.1976. SU 472571 A, 15.11.1984. SU 298696 A1, 12.05.1971.
Имя заявителя:
БАСФ АКЦИЕНГЕЗЕЛЬШАФТ (DE)
Изобретатели:
ВИРТ Александра (DE)
Патентообладатели:
БАСФ АКЦИЕНГЕЗЕЛЬШАФТ (DE)
Приоритетные данные:
09.05.2003 DE 10321113.6
Реферат
Изобретение относится к получению барьерного слоя полупроводникового элемента для предотвращения диффузии меди, нанесенной в качестве материала электропроводки. Способ включает нанесение обесточенным осаждением на каталитически активированные изоляционные слои комбинированного диффузионного барьера и зародышеобразующего слоя, состоящих из сплавов NiRe-P, NiMo-P, NiW-P, NiRe-B, NiMo-B, NiW-B, NiRe-P/B, NiMo-P/B или NiW-P/B под металлическим субстратом и/или в качестве капсулирующего барьера на поверхности металлического субстрата, причем металлический субстрат состоит из металла, выбранного из группы, включающей Cu, Ag, Co, Ni, Pd и Pt, и барьерный слой содержит молибден в количестве от 5 до 24 ат.%, или Re в количестве от 5 до 23 ат.%, или вольфрам в количестве от 5 до 15 ат.%. Состав для обесточенного осаждения служащих в качестве барьерного слоя полупроводникового элемента тройных никель содержащих металлических сплавов типа NiM-P, где М означает Мо, W, Re, содержит NiSO4×6Н2О, NaH2PO2 и соединение из группы, включающей Na2WO4,
Поиск патентов
Получить полное описание патента