RU 2323553 C1, 27.04.2008. RU 2192715 C1, 10.11.2002. JP 2005123215 A, 12.05.2005. WO 2005059196 A2, 30.06.2005.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" (RU)
Изобретатели:
Антипов Александр Анатольевич (RU) Аракелян Сергей Мартиросович (RU) Кутровская Стелла Владимировна (RU) Кучерик Алексей Олегович (RU) Прокошев Валерий Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электротехники и нанотехнологии, в частности к производству материалов электронной техники и квантовой электроники, использующих технологию локализованного нанесения металлических слоев, либо наноструктур на поверхности различных типов для создания элементов и устройств. Технический результат - создание способа лазерного осаждения наночастиц из коллоидных растворов, получение одно-двухкомпонентных коллоидных растворов и наноструктурированных осаждений на различные подложки (диэлектрические, проводящие, керамические и т.д.) при помощи лазерного излучения. Способ лазерного осаждения наночастиц из растворов на подложку заключается в ее помещении в раствор или нанесении раствора на ее поверхность. При этом осаждение проводят из коллоидного раствора, состоящего из жидкой, вязкой фазы (глицерина) и металлических наночастиц (например, Ni, Сu, Ti) и/или их оксидов (NiO, CuO, ТiO2), мощность лазерного излучения варьируют в диапазоне от пороговой мощности, составляющей 1-1,5 Вт, до 4 Вт, фокусируют лазерное излучение со стороны раствора на границу раздела подложка-раствор и сканируют излучением по вышеуказанной поверхности с различной скоростью. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента