Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО - И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДНЫМ СИГНАЛОМ

Номер публикации патента: 2398196

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009133752/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/04   B81B001/00    
Аналоги изобретения: SU 746219 A1, 05.07.1980. RU 2028588 C1, 09.02.1995. RU 2028584 C1, 09.02.1995. RU 2092801 C1, 10.10.1997. EP 0348658 A, 03.01.1990. 

Имя заявителя: Васильев Валерий Анатольевич (RU),
Громков Николай Валентинович (RU) 
Изобретатели: Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Громков Николай Валентинович (RU) 
Патентообладатели: Васильев Валерий Анатольевич (RU)
Громков Николай Валентинович (RU) 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в условиях воздействия температур измеряемой среды как в системах автоматического контроля, так и в цифровых приборах специального и универсального назначения. Техническим результатом изобретения является повышение точности устройства за счет введения дополнительных резисторов и уменьшения благодаря этому влияния температуры разогрева тензорезисторов на выходной сигнал и измерение давления как в положительную, так и в отрицательную сторону (разрежение) за счет введения второго резистора интегратора. Устройство для измерения давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы (НиМЭМС) с частотным выходным сигналом содержит тензорезисторный датчик, установленную в нем НиМЭМС с упругим элементом в виде мембраны, сформированной на ней гетерогенной структурой из тонких пленок материалов, в которой образованы тензорезисторы, объединенные в тензомост. Частотный преобразователь сигнала с выхода тензомоста содержит компаратор и интегратор, выполненный на операционном усилителе с первым конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, выход которого подключен к первому входу компаратора, между выходом которого и инвертирующим входом операционного усилителя интегратора включен второй конденсатор. Инвертирующий вход операционного усилителя интегратора через первый резистор интегратора соединен с одной из вершин измерительной диагонали тензомоста, а ее другая вершина подключена к неинвертирующему входу операционного усилителя интегратора и второму входу компаратора. Введены два дополнительных резистора и второй резистор интегратора. Первый дополнительный резистор включен между первой вершиной диагонали питания тензомоста и выходом компаратора, второй дополнительный резистор подключен ко второй вершине диагонали питания тензомоста и соединен с шиной «земля». Второй резистор интегратора подключен между инвертирующим входом операционного усилителя интегратора и шиной «земля». 1 з.п. ф-лы, 14 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"