RU 2384934 С2, 20.03.2010. RU 2070768 C1, 20.12.1996. US 4629997 А, 16.12.1986. US 2002/0063598 A1, 30.05.2002.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, SiGe-операционных усилителях (ОУ), компараторах, стабилизаторах напряжения, различных аналогово-цифровых интерфейсах и т.п.). Технический результат: повышение на один - два порядка коэффициента усиления по напряжению разомкнутого ДУ при использовании сравнительно низкоомных двухполюсников нагрузки (например, Rн=R0=5÷50 Ом). Дополнительная задача - повышение стабильности нулевого уровня. Дифференциальный усилитель (ДУ) содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы (Т), коллекторы которых соединены с первым (3) источником питания (ИП), первое (4) токовое зеркало (ТЗ), базовый вход (5) которого соединен с первым (3) ИП через первый (6) источник опорного тока (ИОТ), токовый выход (7) первого (4) ТЗ связан с первым (3) ИП через второй (8) ИОТ и соединен с базой первого (9) выходного Т, инвертирующий эмиттерный вход (10) первого (4) ТЗ соединен с эмиттером второго (2) входного Т и через третий (11) ИОТ связан со вторым (12) ИП, неинвертирующий эмиттерный вход (13) первого (4) ТЗ связан со вторым (12) ИП через четвертый (14) ИОТ и соединен с эмиттером первого (1) входного Т, пятый (15) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между выходом устройства (16) и вторым (12) ИП. В схему введен второй (17) выходной Т, эмиттер которого подключен к коллектору первого (9) выходного Т, коллектор связан с первым (3) ИП, причем базовый вход (5) первого (4) ТЗ соединен с первым (3) ИП через последовательно соединенные цепь смещения потенциалов (18) и первый (6) ИОТ, общий узел последовательно соединенных цепи смещения потенциалов (18) и первого (6) ИОТ соединен с базой второго (17) выходного Т, а цепь смещения потенциалов (18) включена между базой второго (17) выходного Т и базовым входом (5) первого (4) ТЗ. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента