Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ АКУСТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР И СПОСОБ ПЕРЕСТРОЙКИ ЕГО РЕЗОНАНСНОЙ ЧАСТОТЫ

Номер публикации патента: 2397607

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009127670/09 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03H009/15    
Аналоги изобретения: WO 2007103912 А2, 13.09.2007. SU 1182627 A, 30.09.1985. RU 1313317 С, 30.10.1994. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" (RU) 
Изобретатели: Козырев Андрей Борисович (RU)
Михайлов Анатолий Константинович (RU)
Прудан Александр Михайлович (RU)
Пташник Сергей Викторович (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к СВЧ электроакустике и является основой для создания электроакустических фильтров СВЧ, широко используемых в системах связи и локации. Задача, решаемая изобретением, - расширение возможностей перестройки резонансной частоты акустических резонаторов. Задача решается следующим образом. Предлагаемый резонатор состоит из верхнего и нижнего внешних электродов (1 и 2), являющихся соответственно СВЧ входом и выходом резонатора, первого сегнетоэлектрического слоя (3), а также одного дополнительного внутреннего электрода (4) и одного дополнительного слоя сегнетоэлектрика (5), находящегося в параэлектрическом состоянии. Нижний электрод (2) располагается на диэлектрической подложке (6). Перестройка частоты акустического резонатора происходит путем подачи постоянного напряжения на внешние электроды (1 и 2), а также на дополнительный внутренний электрод (4), величины подаваемых постоянных напряжений меняют от величин, обеспечивающих одинаковое направление вектора напряженности постоянного электрического поля в слоях сегнетоэлектрика (3 и 5), до величин, обеспечивающих противоположное направление вектора напряженности постоянного электрического поля в слоях сегнетоэлектрика (3 и 5). 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 14 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"