|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНЖЕКЦИОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР |  |
Номер публикации патента: 2110874 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/19 | | Аналоги изобретения: | 1. RU, патент, 2035103, кл. H 01 S 3/19, 1995. 2. T.R. Chem et al.Appl. Phys. Zett, 1988, vol. 53, N 16, p.1468 - 1470. 3. F.A. Kish et al. Appl. Phys. Zett, 1992, vol.60, N 1, pp.71-73. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" | | Изобретатели: | Демидов Д.М.
Тер-Мартиросян А.Л.
Чалый В.П.
Шкурко А.П. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" |
Реферат | |
Изобретение относится к области мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической, спектрометрии, геологии и т.д. Сущность изобретения: в инжекционном полупроводниковом лазере, изготовленном на основе гетероструктуры, с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, содержащем набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое, изолирующий слой, нанесенный в межполосковых областях, и сплошной металлический слой , расположенный сверху гетероструктуры и предназначенный для подвода тока к лазеру, упомянутый выше изолирующий слой выполнен из поликристаллического кремния с удельным электрическим сопротивлением не менее ∫1234567667890- = 2 · 10-3 Ом · см2 и толщиной в диапазоне 0,1 - 0,5 мкм. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента