Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

В данном разделе представлены Рефераты российских патентных документов.

Здесь Вы можете провести патентный анализ, а также приобрести полный комплект документов по патенту. Стоимость 1 патента — 150 руб. (НДС не облагается). Поиск информации осуществляется посредством определения соответствующих критериев поиска в форме "Поиск патентов"

Патенты, представленные в данном разделе, классифицированы с использованием классификатора МПК (Международный патентный классификатор). Подробную информацию о классификаторе смотрите здесь.

Вы можете двигаться по "дереву" классификатора, а также осуществлять поиск по классификатору, вводя условие поиска в форму "Поиск в МПК".




Капустинская Наталья - менеджер, тел. (3812) 31-17-14 E-mail: adm311714@yandex.ru


 МПК » H » H01 » H01L » H01L029/00
Поиск в МПК:   
Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (31/00-47/00, 51/05 имеют преимущество; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, 27/00)[2,6]
Всего позиций: 365        «пред [301-350] [351-365] 
Публикация Название
2473150МОЩНЫЙ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
2195747МОЩНЫЙ СВЧ МДП - ТРАНЗИСТОР
2307424МОЩНЫЙ СВЧ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТКИ
2393589МОЩНЫЙ СВЧ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТКИ
1347825МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2054754МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2089014МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2216072МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2216073МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2226307МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2227945МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2227946МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2253924МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР
2054755МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ)
2054756МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР (ВАРИАНТЫ)
2192692МОЩНЫЙ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР
2463686НАКЛЕИВАЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР
2463687НАКЛЕИВАЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР
2412897НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
2412898НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
2415494НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
2372691НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
2372692НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
2372693НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
2372694НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД
Всего позиций: 365        «пред [301-350] [351-365] 
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"