|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОЩНЫЙ СВЧ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТКИ |  |
Номер публикации патента: 2307424 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L029/00 | | Аналоги изобретения: | В.Г.Лапин и др. Мощные GaAs полевые СВЧ транзисторы со смещенным затвором. Сборник материалов Одиннадцатой Международной конференции «СВЧ - техника и телекоммуникационные технологии», 10-14 сентября 2001 г., Севастополь, стр.135. RU 2227344 С2, 20.04.2004. US 4603469 А, 05.08.1986. JP 57032676 А, 22.02.1982. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) | | Изобретатели: | Лапин Владимир Григорьевич (RU)
Петров Константин Игнатьевич (RU)
Темнов Александр Михайлович (RU) | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является повышение выходной мощности и коэффициента усиления по мощности и, следовательно, повышение коэффициента полезного действия СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки. Это достигается тем, что в мощном СВЧ полевом транзисторе с барьером Шотки на полуизолирующей подложке арсенида галлия с активным слоем n-типа проводимости, толщиной не более 0,4 мкм и концентрацией легирующей примеси 2×1017-1×1018 см
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента