Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНЫЙ СВЧ - ТРАНЗИСТОР

Номер публикации патента: 2227946

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2003100241/282003100241/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L029/70    
Аналоги изобретения: SU 1741190 A1, 15.06.1992. RU 2190899 C1, 10.10.2002. JP 63-136637, 08.06.1988. НИКИШИН В.И. и др. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов. - М.: Радио и связь, 1989, с.16-38. 

Имя заявителя: Воронежский государственный университет 
Изобретатели: Булгаков О.М.
Петров Б.К. 
Патентообладатели: Воронежский государственный университет 

Реферат


Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе суммарная площадь выемок в контактных площадках металлизации эмиттерных и базовых областей каждого транзисторного модуля, предназначенных для уменьшения паразитной емкости площадок, увеличивается по мере увеличения индуктивности его выходной цепи.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"