|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ, ПОЛУЧЕННЫЙ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2288302 |  |
| Имя заявителя: | ЭЛЕМЕНТ СИКС (ПТИ) ЛТД. (ZA) | | Изобретатели: | СКАРСБРУК Джеффри Алан (GB)
МАРТИНО Филип Морис (GB)
КОЛЛИНС Джон Ллойд (GB)
СУССМАНН Рикардо Саймон (GB)
ДОРН Бэрбель Зузанна Шарлотта (GB)
УАЙТХЕД Эндрью Джон (GB)
ТУИТЧЕН Даниель Джеймс (GB) | | Патентообладатели: | ЭЛЕМЕНТ СИКС (ПТИ) ЛТД. (ZA) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике. Сущность изобретения: монокристаллический алмаз получают путем химического осаждения из газовой фазы на алмазную подложку с поверхностью, практически не имеющей дефектов кристаллической решетки, в потоке газа-носителя в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 част.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента