US 5075092 А, 24.12.1994. RU 2173297 С2, 10.09.2001. US 4632816 А, 30.12.1986. US 4847061 А, 11.07.1989. JP 62-128915 А, 11.06.1987.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) (RU), Фирма КСС Корпорейшин Республика Корея (KR)
Изобретатели:
Ендовин Юрий Петрович (RU) Перерва Олег Валентинович (RU) Чекрий Елена Николаевна (RU) Стороженко Павел Аркадьевич (RU) Поливанов Александр Николаевич (RU) Канг Гёнг Хун (KR)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (ФГУП ГНИИХТЭОС) (RU) Фирма КСС Корпорейшин Республика Корея (KR)
Реферат
Изобретение может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Моносилан непрерывно получают из галогенида кремния и гидрида металла при их стехиометрическом соотношении в жидкой реакционной среде в одном вертикальном аппарате колонного типа, секционированном по высоте на реакционные зоны контактными устройствами, обеспечивающими контакт между жидкостью и газом. Исходный гидрид металла 2 вводят в верхнюю часть аппарата, исходный галогенид кремния 1 - в нижнюю часть над слоем жидкости. Полученный силан 3 выводят из верхней части аппарата, полученный галогенид металла 4 - из нижней части. Аппарат охлаждают внешним потоком хладагента. Осуществляют контроль тепловыделения и регулирование подачи реагентов в соответствии с тепловыделением. Процесс ведут при атмосферном давлении и при температуре 10-110°С. Изобретение позволяет осуществлять крупнотоннажное производство моносилана в аппарате колонного типа. 34 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента