Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) (RU)
Изобретатели:
Русов Юрий Сергеевич (RU) Голубцов Максим Евгеньевич (RU) Крехтунов Владимир Михайлович (RU) Нефедов Сергей Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники СВЧ и КВЧ диапазонов. Основание модуля проходной ФАР выполнено в виде жесткой пластины, содержащей печатные проводники с контактными площадками и штыри, установленные вдоль пластины по обе ее стороны, между которыми на пластине размещены элементы ФАР. Корпуса установлены на пластине и соединены с ней клеевым соединением, а контактные площадки печатной платы элемента ФАР соединены с выводами обмотки намагничивания и припаяны к контактным площадкам основания модуля проходной ФАР. Элемент ФАР пропускает электромагнитные волны, поляризованные по кругу, и содержит приемный и апертурный диэлектрические излучатели (ДИ), волноводный ферритовый фазовращатель (ФВ) фарадеевского типа и корпус в виде тонкостенной гильзы. ФВ состоит из ферритового стержня (ФС) в виде N-гранной призмы (N4), размещенного вместе с обмоткой его продольного намагничивания внутри магнитопровода в виде П-образных ферритовых скоб, расположенных по одной на каждой грани ФС. Каждый ДИ имеет цилиндрическую часть внутри и вне волновода излучателя, коническую часть и на конце цилиндрический согласующий трансформатор. Повышается точность позиционирования элементов ФАР как в продольном, так и в поперечном направлениях основания модуля, расширяется сектор сканирования луча периодической антенной решетки, повышается стойкость модуля проходной ФАР к внешним механическим воздействиям. 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента