На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА | |
Номер публикации патента: 2008743 | |
Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Изобретатели: | Типаева В.А. | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на усовершенствование способа в части исключения потери золота, повышения технологичности и универсальности способа, повышения качества кристаллов после разделения подложки, а также повышения надежности металлизации в сквозных отверстиях.
|