US 5327100 А, 05.07.1994. SU 1259472 A1, 23.09.1986. RU 2319291 C1, 10.03.2008. US 4959622 A, 25.09.1990.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, прецизионных операционных усилителях (ОУ) с малыми значениями эдс смещения нуля). Технический результат: уменьшение напряжения смещения нуля. Каскодный дифференциальный усилитель (КДУ) содержит входной дифференциальный каскад (ДК) (1) с первым (2) и вторым (3) токовыми выходами и входом (4) в общей эмиттерной цепи, первый (5) и второй (6) выходные транзисторы (Т), эмиттеры которых соединены с соответствующими токовыми выходами (2, 3) ДК (1), базы - объединены и подключены к первому источнику напряжения согласования потенциалов (7), а эмиттеры через соответствующие первый (8) и второй (9) токостабилизирующие двухполюсники (ТД) связаны с первой (10) шиной источника питания (ИП), выходное токовое зеркало (11), вход которого связан с коллектором Т (5), а выход соединен с коллектором Т (6) и связан со входом (12) буферного усилителя (13), причем токовый вход (4) общей эмиттерной цепи ДК (1) соединен с коллектором Т (14) источника опорного тока, эмиттер которого связан со второй (15) шиной ИП через третий (16) ТД, а буферный усилитель (13) реализован на входном Т (17), тип проводимости которого совпадает с типом проводимости Т (14) источника опорного тока. База Т (14) соединена с коллектором Т (5). 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента